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李海鸥 教授 (lihaiou@guet.edu.cn)    

桂林电子科技大学 信息与通信学院    

研究领域:微波集成电路设计、新型微波器件、功率器件、微波光子、薄膜器件

个人简介

湖南娄底人,工学博士,教授,博士生导师,教育部 “新世纪优秀人才支持计划”人选、广西“新世纪十百千人才工程第二层次”人选、广西“杰出青年基金”获得者、入选桂林电子科技大学首届“英才计划”。1997年7月毕业于湖南大学电气系,专业电子工程。2003年4月毕业于湖南大学信息与工程学院,专业电工理论与新技术,获工学硕士学位。2006年5月毕业于中国科学院微电子研究所,专业微电子学与固体电子学,获工学博士学位。2006.6~2010.12期间在香港科技大学首席教授KeiMay Luo实验室(PTC)做博士后(第一站);2011.12-2015.5期间中国电子科技集团58所于宗光首席专家团队做博士后(第二站);2014.9-2015.9美国普渡大学Prof.Ye 团队做访问学者。2010年12月至今,任教桂林电子科技大学信息与通信学院。近五年主持国家/省部级等项目19项,其中包括国家自然科学基金面上项目两项、广西杰出青年自然科学基金1项、教育部新世纪优秀人才项目1项、广西自然基金(重点)1项等,科研总经费约600多万。在国内外学术刊物上发表研究论文50多篇,以第一作者或通讯作者发表SCI检索论文16篇,包括微电子学顶级刊物IEEE Electron Device Letters发表论文3篇。授权国家发明专利8项。出版专著《射频/微波功率新型器件导论》1部(第二),获得广西自然科学二等奖1项(排名第一),中国电子科技集团技术发明二等奖1项(排名第三)。

教育背景

1997.7 毕业于湖南大学,电子工程专业,大学;

2003.4 毕业于湖南大学,电工理论与新技术,硕士;

2006.6 毕业于中科院微电子研究所,微电子学与固体电子学,博士;

2006-6-2010.12 香港科技大学,电子与计算机工程系,博士后(第一站);

2011.12-2014.12 中国电子科技集团58所,博士后(第二站);

2014.9-2015.9 美国普渡大学,访问学者

工作经历

1、1997.09–2000.07 深圳华为技术有限公司 技术员;

2、 2006.06–2010.12 香港科技大学电子与计算机工程系 博士后(第一站)

3、 2010.12–至今 桂林电子科技大学信息与通信学院 教授

4、 2011.12–2015.01 中国电子科技集团58所 博士后(第二站)

主要荣誉

1、2006年入选“香港内地人才输入计划”;

2、2013年教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者;

3、2013年广西“杰出青年基金”获得者;

4、2014年为桂林电子科技大学学术带头人;

5、2015年广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选;

6、2017年桂林电子科技大学首届“英才计划”人选;

7、2018年广西区优秀专家人选。

主要论文

(1)Haiou Li(李海鸥), Yue Li, Gongli Xiao, Xi Gao, Qi Li, Yonghe Chen, Tao Fu, Tangyou Sun, Fabi Zhang*, and Naisen Yu*, Simple Fabrication ZnO/β-Ga2O3 Core/Shell Nanorod Arrays and Their Photoresponse Properties, Optical Materials Express, 2018, 8(4):794-803

(2)Xi Gao, Leena Singh, Wanli Yang, Jingjing Zheng, Haiou Li*(李海鸥) & Weili Zhang, Bandwidth broadening of a linear polarization converter by near-field metasurface coupling, Scientific Reports, 2017, 7(1): 1-8

(3)XI GAO, WANLI YANG, WEIPING CAO, MING CHEN, YANNAN JIANG, XINHUA YU, AND HAIOU LI*(李海鸥), Bandwidth broadening of a graphene-based circular polarization converter by phase compensation, OPTICS EXPRESS, 2017, 25(20): 23945-23954

(4)Weihua Kang, Xiaodong Zhang, Xian Ji, Yong Cai, Jiahui Zhou, Wenjun Xu, Qi Li, Gongli Xiao, Baoshun Zhang and Haiou Li*(李海鸥), Fabrication of 45-nm high In component metamorphic In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As composite channel HEMTs on GaAs substrates, Electronics Letters, 2016, 52(4): 318-319

(5)Xiao-fengWu,Shi-gang Hu,H.O. Li*(李海鸥), Jin Li,Zai-fang Xi,Ying-lu Hu, A Kind of Coating Method of GaN-MOCVD Graphite Susceptor,Journal of nanomaterials, 2015, 24(3): 037203-037206

(6)WU XiaoFeng,LIU HongXia, H.O. Li*(李海鸥),LI Qi,HU ShiGang,XI ZaiFang, ZHAO Jin, Fabrication of 150-nm Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As HEMTs on GaAs substrates,SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(12): 2389-2391

(7)Ming Li, H.O. Li(李海鸥), Chak Wah Tang, and Kei May Lau*, S. Lawrence Zipursky*, Fabrication of 100-nm Metermorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Si Substrate by MOCVD,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 33(4): 498-500

(8)HaiOu LI(李海鸥), HUANG Wei*, LI QiLI SiMin, JIANG Xi, TANG ChakWah, LAU KeiMay, Fabrication of 0.3-μm T-gate Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Silicon Substrates Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(4): 644-648

(9)H.O. Li(李海鸥), Zhihong Feng,C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Fabrication of 150-nm T-Gate Metamorphic AlInAs/ GaInAs HEMTs on GaAs Substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 32(9):1224-1226

(10)H.O. Li(李海鸥), C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2008, 29(6):561-564

学术著作

(1)黄伟,李海鸥,于宗光,吴笑峰,首照宇,射频/微波功率新型器件导论, 复旦大学,200千字,2013

 

【1】李海鸥(1/15), 化合物半导体微纳器件与集成电路研究, 广西区人民政府, 广西自然科学奖, 二等奖, 2017 (李海鸥, 蔡勇, 高喜, 李琦, 陈永和)

【2】李海鸥(3/6), 可融合GaN/Si功率集成与高频数字化节能关键技术, 中国电子科技集团, 中国电子科技集团技术发明奖, 二等奖, 2015 (黄伟, 于宗光, 李海鸥, 王胜,万清,胡南中)

科研项目

1. 广西自然科学基金项目(重点),常关型GaN功率器件制备和模型研究(2016GXNSFDA380021,2016.09- 2020.08

2.国家自然科学基金面上项目,61474031,硅衬底上III-V族异质结材料生长机制和HEMT器件制备,2015/01-2018/12,89万元,在研,主持

3.广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选,2015年,电子科学与技术

4.国家自然科学基金面上项目,61274077,硅基GaN HEMTs 超级结器件及其模型研究,2013/01-2016/12,86万元,已结题,主持

5.中国博士后科学基金委(特别资助),硅基高迁移率III-V族半导体材料和器件研究(2013T60566),2013.06-2014.05 6.教育部“新世纪优秀人才支持计划”获得者,2013年,电子科学与技术

知识产权

【1】李海鸥,吉宪,李琦,李跃,黄伟,马磊,首照宇,吴笑峰,李思敏, 一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法, 2017.6.11, 中国, ZL201510058652.5,中国国家知识产权局

【2】李海鸥,吉宪,李琦,黄伟,马磊,首照宇,吴笑峰,李思敏, 一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法, 2017.5.10, 中国, ZL201510057805.4,中国国家知识产权局

【3】李海鸥,周佳辉,闭斌双,林子曾, 金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件及制备方法, 2017.2.15, 中国, ZL201410283229.0,中国国家知识产权局

【4】李海鸥, 李琦,翟江辉,唐宁,蒋行国,李跃,线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件, 2017.8.22, 中国, ZL201410564342.6,中国国家知识产权局

【5】李琦,李海鸥,翟江辉,唐宁,蒋行国,李跃,等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件,2014.10.22,中国,ZL201410564342.6,中国国家知识产权局

【6】李海鸥,黄伟,吴笑峰,李思敏,首照宇,于宗光,李琦,胡仕刚,邓洪高, 基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法, 2015.7.1, 中国, ZL201310021186.4

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